8月13日，首台国产商业化电子束光刻机“羲之”正式发布，精度达0.6nm，线宽8nm。

那么电子束光刻机对比EUV光刻机有何区别呢？

一是精度高于EUV光刻机

荷兰ASML生产的EUV光刻机精度只能达到5nm水平。远低于“羲之”电子束光刻机的精度。

二是效率远低于EUV光刻机

“羲之”电子束光刻机采用的是电子作为“雕刻刀”，雕刻速度极慢，每几个小时才能“雕刻”1片晶圆，而EUV光刻机用极紫外光作为“雕刻刀”，在掩膜版的配合小，每小时可“雕刻”上百片晶圆。从效率来看，电子束光刻机的生产效率远不如EUV光刻机，不适合大规模生产，仅适合小批量生产，很适合快速迭代研发芯片。例如华为可以用这种设备验证3nm甚至是1nm芯片的实际性能是否能达到理论性能，从而为今后大规模量产省去验证环节，加快商业化进程。目前一个比较高端的应用是用于生产量子芯片。

三是无需掩膜板，生产成本低于EUV光刻机

如果把EUV光刻机比喻成GPU，那么“羲之”电子束光刻机就是CPU，在“画图”方面，GPU效率极高，但是需要提前制作掩膜版（相当于雕刻模板）才能快速曝光晶圆，而电子束光刻机相当于技术精湛的雕刻师，无需掩膜版，想雕刻什么图案就能直接刻，更加灵活。省去掩膜板的好处就是可以降低成本，而从定价来看，电子束光刻机也低于EUV光刻机。并且，电子束光刻机还可以用于雕刻掩膜板。

简要总结：电子束光刻机“小而精”，适合高端芯片的小批量生产、改进迭代，还能雕刻掩膜板，目前还无法取代EUV光刻机，而是作为EUV光刻机的补充。